4 月 3 日消息，近日北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關(guān)于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)發(fā)起投資 10 億元分期建設(shè)聚能國(guó)際 6-8 英寸硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項(xiàng)目，總占地面積 30 畝，一期建成投產(chǎn)后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 5000 片 / 月的生產(chǎn)能力，二期建成投產(chǎn)后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 12000 片 / 月的生產(chǎn)能力，將為全球 GaN 產(chǎn)品客戶的旺盛需求提供成熟的技術(shù)支持和產(chǎn)能保障。

　　據(jù)了解，GaN(氮化鎵)屬于第三代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等，因其禁帶寬度(Eg)大于或等于 2.3 電子伏特(eV)，又被成為寬禁帶半導(dǎo)體材料，與第一、二代相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子速率等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

　　公司已于 2018 年 7 月在青島市嶗山區(qū)投資設(shè)立 “青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵(GaN)功率與微波器件的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā);已于 2018 年 6 月在青島市即墨區(qū)投資設(shè)立 “聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司”，主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)，該公司投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目(一期)已于 2019 年 9 月達(dá)到投產(chǎn)條件，正式投產(chǎn)。作為公司 GaN 業(yè)務(wù)一級(jí)平臺(tái)公司，聚能創(chuàng)芯匯聚了業(yè)界團(tuán)隊(duì)，擁有第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、工藝制造、器件設(shè)計(jì)等全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)能力及儲(chǔ)備，且截至目前在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圓、GaN 功率器件及應(yīng)用方面已形成系列產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)批量銷售。