三星官網(wǎng)今天發(fā)布消息稱，該公司推出了基于8納米技術(shù)的射頻技術(shù)。

  三星表示，該先進(jìn)技術(shù)有望提供5G通信單芯片解決方案，專門用于支持多通道和多天線芯片設(shè)計。三星的8納米射頻平臺將公司在5G半導(dǎo)體市場的地位從Sub-6GHz頻帶擴(kuò)展到毫米波應(yīng)用。

  三星8納米射頻技術(shù)是射頻相關(guān)解決方案的補(bǔ)充，包括28納米和14納米。自2017年以來，三星為高端智能手機(jī)發(fā)貨了5億多個移動終端射頻芯片。

  通過卓越的創(chuàng)新和工藝制造，我們加強(qiáng)了下一代無線通信產(chǎn)品。三星電子代工技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊主管HyungJinLee說。隨著5G毫米波的擴(kuò)展，在緊湊型移動終端上尋求更長的電池壽命和優(yōu)良的信號質(zhì)量的客戶，三星8納米射頻將成為一個很好的解決方案。

  隨著先進(jìn)節(jié)點的擴(kuò)展，數(shù)字電路在性能、功耗和面積(PPA)方面得到了顯著改善，但模擬/射頻模塊由于退化寄生效應(yīng)(例如狹窄線寬引起的電阻增加)沒有得到改善。因此，大多數(shù)通信芯片傾向于射頻特性退化，如接收頻率放大性能劣化和功耗增加。

  為了克服模擬/射頻擴(kuò)展的挑戰(zhàn)，三星開發(fā)了一種獨特的8納米射頻專用結(jié)構(gòu)，名為RFextremeFET(RFeFET)，可以顯著改善射頻特性，降低功耗。與14納米射頻相比，三星RFeFET補(bǔ)充了數(shù)字PPA擴(kuò)展，恢復(fù)了模擬/射頻擴(kuò)展，實現(xiàn)了高性能5G平臺。

  三星在新聞稿中寫道，三星的技術(shù)優(yōu)化限度地提高了渠道的移動性，同時限度地減少了寄生效應(yīng)。由于RFeFET的性能大幅提高，射頻芯片的晶體管總數(shù)和模擬/射頻塊的面積可以減少。與14納米射頻相比，由于RFeFET架構(gòu)的創(chuàng)新，三星8納米射頻技術(shù)提高了35%的功率效率，射頻芯片面積減少了35%。