10 月 12 日消息 10 月 12 日，三星對外宣布已開始量產(chǎn)基于極紫外(EUV)光技術(shù)的 14 納米 DRAM。

　　繼去年 3 月出貨 EUV DRAM 后，現(xiàn)階段將 EUV 的層數(shù)增加至五層，將會為 DDR5 提供更優(yōu)質(zhì)的解決方案。

　　三星電子副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負責人 Jooyoung Lee 表示：“通過開拓關(guān)鍵的圖案化創(chuàng)新技術(shù)，我們在近三年的時間里一直引領(lǐng)著 DRAM 市場。如今，三星正在通過多層 EUV 建立起另一個技術(shù)的里程碑，該技術(shù)實現(xiàn)了 14 納米的化 —— 這是傳統(tǒng)氟化氬 (ArF) 工藝無法實現(xiàn)的壯舉。在此基礎(chǔ)上，我們將繼續(xù)為 5G、AI 和虛擬世界中需要更高性能和更大容量的數(shù)據(jù)驅(qū)動計算，提供差異化的內(nèi)存解決方案。”

　　三星通過在 14 納米 DRAM 中添加五個 EUV 層，實現(xiàn)了超高的比特密度，同時將整體晶圓的生產(chǎn)率提高了約 20%。此外與上一代 DRAM 相比，14 納米工藝有助于降低近 20% 的功耗。

　　根據(jù) DDR5 的標準，三星的 14 納米 DRAM 可帶來 7.2Gbps 的超高速，是前代 DDR4 的 3.2Gbps 速度的兩倍多。

　　同時三星計劃擴展其 14 納米 DDR5 的產(chǎn)品組合，用來支持數(shù)據(jù)中心、超級計算機和企業(yè)服務器應用。此外，三星預計將其 14 納米 DRAM 芯片密度增加到 24Gb，以更好地滿足全球 IT 系統(tǒng)快速增長的數(shù)據(jù)需求。