10 月 20 日消息，今日韓國 SK 海力士宣布，成功開發(fā)出業(yè)界第一款 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片。該產(chǎn)品可以與 CPU、GPU 核心相鄰封裝在一起，采用多層堆疊工藝，實現(xiàn)遠(yuǎn)比傳統(tǒng)內(nèi)存條高的存儲密度以及帶寬。

　　目前 HBM DRAM 已經(jīng)發(fā)展到了第四代，HBM3 進一步提升了單片容量以及帶寬。海力士表示，2020 年 7 月便開始量產(chǎn) HBM2E 內(nèi)存，為全球首批量產(chǎn)這種芯片的企業(yè)。

　　SK 海力士的 HBM3 芯片，單片容量可達(dá) 24GB，帶寬達(dá)到了 819 GB/s，相比 HBM2E 提升了 78%。不僅如此，產(chǎn)品還支持片上 ECC 糾錯，顯著高了可靠性。

　　這款 HBM3 內(nèi)存提供 16GB 和 24GB 兩種類型，分別為 8 層和 12 層堆疊，每層容量 2GB。工程師將單片芯片的高度磨削至 30 微米厚，相當(dāng)于 A4 紙的三分之一。然后，使用 TSV 硅通孔技術(shù)將這些芯片堆疊在一起，最終進行封裝。

　　這款芯片可以用于高性能 CPU，或者專用計算加速卡，可以顯著提高人工智能、機器學(xué)習(xí)運算的性能，有助于科學(xué)研究、藥物開發(fā)、氣候變化分析等。